，现在的 12 层堆叠 HBM3E 和 HBM4 上，连续运用了 Advanced MR-MUF 及 TC-NCF 堆叠架构，到了 16 层堆叠 HBM4 和 HBM4E，虽能挑选 Hybrid Bonding，可是因为没显着优势，所以现阶段存储器厂商都还没有做最终的决议，不过从堆叠高度限制、IO 密度、散热等方面要求考虑，20 层堆叠 HBM5 运用 Hybrid Bonding 没有太大疑问。
假如存储器厂商挑选在 16 层堆叠 HBM4 开端选用 Hybrid Bonding，能够更早地阅历堆叠技能的学习曲线 顺畅量产。不过即使想尽早地引进 Hybrid Bonding，还需求面临许多应战，比方购买新设备、抢占其他产线的需求等，别的还要战胜现阶段还存在的微粒操控等技能问题，或许会引起需求更加多的出资。此外，因为 Hybrid Bonding 需以 Wafer to Wafer 形式堆叠，若前端出产良品率过低，全体出产良品率将不具有经济效益。
有剖析指出，Hybrid Bonding 或许会引起 HBM 的商业形式呈现改变。运用 Wafer to Wafer 形式堆叠需保证 HBM 根底芯片和内存颗粒的尺度完全一致，因而一起供给 GPU/ASIC 和根底芯片制作的台积电，或许要承担起堆叠重担，必然导致整个 HBM 出产一切的环节的工业位置产生显着的改变。